La gigante surcoreana quiere llevar experiencias de nivel insignia a teléfonos no insignia a través de su último paquete multichip basado en UFS LPDDR5. Samsung anunció el día de ayer que la primera solución LPDDR5 uMCP de la industria entra en producción en masa a partir de este mes antes de implementarse en «teléfonos inteligentes de gama media a alta«.
El módulo aprovecha la experiencia de Samsung en tecnología de semiconductores y combina la memoria LPDDR5 más rápida de Samsung con almacenamiento NAND UFS 3.1 en un solo paquete. La compañía afirma que la solución ofrece un rendimiento de nivel insignia y permite experiencias de realidad mixta, juegos y transmisión ininterrumpida «incluso en dispositivos de nivel inferior«.
LPDDR5: velocidad rápida y requisitos de energía muy bajos
El uMCP LPDDR5 de Samsung promete casi un 50% de aumento en el rendimiento de la DRAM y el rendimiento de flash NAND 2 veces mayor que las soluciones UFS 2.2 anteriores basadas en LPDDR4x. El LPDDR5 uMCP cuenta con velocidades de transferencia de 25 GB/s para DRAM (hasta 17 GB/s) y una velocidad de transferencia de 3 GB/s para flash NAND, desde 1,5 GB/s. La cantidad de RAM en un módulo uMCP variará de 6GB a 12GB, y las opciones de almacenamiento incluirán 128GB y 512GB.
Todo este rendimiento adicional viene en un paquete compacto de bajo consumo que mide 11,5 mm x 13 mm, lo que deja espacio adicional para otros componentes internos. La compañía afirma que su próxima solución LPDDR5 uMCP puede cumplir con los requisitos de los teléfonos inteligentes 5G en los segmentos de gama media y alta.
Samsung reveló que ha completado con éxito las pruebas de compatibilidad con varios fabricantes mundiales de teléfonos inteligentes. La solución LPDDR5 uMCP fue desarrollada por la división de semiconductores de la empresa y no será exclusiva de los teléfonos inteligentes Galaxy. Se espera que los dispositivos equipados con esta solución de la gigante surcoreana lleguen a los estantes en mercados clave a finales de este mes.
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