Al parecer, la firma surcoreana estaría trabajando en una nueva versión del Galaxy S20 FE LTE, que vendría impulsada por el procesador Snapdragon 865. Este nuevo modelo, había aparecido en la base de datos de Wi-Fi Alliance hace unos días, pero no se tenía certeza sobre cuáles eran las diferencias que presentaba en relación al modelo lanzado el año anterior. Pues bien, ya se confirmó la variante, y es que este nuevo dispositivo contará con un nuevo procesador, aún más versátil y eficiente que el Exynos 990 de Samsung.
La nueva versión de este terminal viene bajo el número de modelo SM-G780G y, más allá del chip del procesador, mantendría sus demás especificaciones intactas en relación al modelo del año 2020. Si alguno se pregunta por el soporte de Samsung Pay, seguirá ofreciendo esta característica, ya que incluirá un chip MST para poder realizar pagos magnéticos en terminales tradicionales.
El Snapdragon 865 se implementará en la nueva versión del Galaxy S20 FE LTE
Para aquellos que no están familiarizados con este terminal, les presentamos algunas de sus características: el Galaxy S20 FE LTE cuenta con una pantalla Super AMOLED de 6.5 pulgadas con una resolución de 1.080 x 2.400 píxeles, una memoria RAM de 8GB acompañada del procesador octa-core Exynos 990 y 256GB de almacenamiento interno expandible mediante MicroSD hasta 1TB, compatible con NFC y Bluetooth 5.0, una batería de 4.500 mAh, puerto de carga USB tipo C y, adicional, en su apartado fotográfico, cuenta con triple cámara, donde la principal tiene 12MP, un zoom óptico de hasta 3x y un zoom digital de 30x.
Lo que aún no se ha confirmado, es si este dispositivo en específico, tendrá un lanzamiento global o sencillamente se quedará destinado a algunos mercados particulares. La compañía surcoreana se plantea expandir la variante 5G de este terminal a nuevas regiones y, puede que el modelo LTE con tecnología Snapdragon esté destinado a aquellos países a donde no llegue el modelo 5G. Estaremos atentos a posibles nuevas filtraciones y los mantendremos al tanto.